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可控硅兩端并聯(lián)阻容網絡起什么作用？
我們知道，晶閘管有一個重要特性參數－斷態(tài)電壓臨界上升率 dlv/dlt。它表明晶閘管在額定結溫和門極斷路條件下，使晶閘管從斷態(tài)轉入通態(tài)的最低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能
發(fā)生這種情況。因為晶閘管可以看作是由三個 PN 結組成。在晶閘管處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其 J2 結結面相當于一個電容C0。當晶閘管陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容 C0，并通過 J3 結，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管在關斷時，陽極電壓上升速度太快，則 C0 的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管誤導通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管安全運行，常在晶閘管兩端并聯(lián)RC 阻容吸收網絡，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。因為電路總是存在電感的(變壓器漏感或負載電感)，所以與電容 C 串聯(lián)電阻 R 可起阻尼作用，它可以防止 R、L、C 電路在過渡過程中，因振蕩在電容器兩端出現(xiàn)的過電壓損壞晶閘管。同時，避免電容器通過晶閘管放電電流過大，造成過電流而損壞晶閘管。 由于晶閘管過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。RC 阻容吸收網絡就是常用的保護方法之一。